KC3000 PCIe 4.0 NVMe M.2 SSD SKC3000D/2048G

KC3000 PCIe 4.0 NVMe M.2 SSD SKC3000D/2048G

Fabricante: KINGSTON

EAN: 740617324242

Referencia: SKC3000D/2048G

Estado: Disponible

Entrega estimada: 1 dias

Especificaciones

KC3000 PCIe 4.0 NVMe M.2 SSD

Almacenamiento de alto rendimiento para equipos de sobremesa y portátiles

Kingston KC3000 PCIe 4.0 NVMe M.2 SSD ofrece un nuevo nivel de rendimiento al utilizar el más avanzado controlador NVMe Gen 4x4 y NAND TLC 3D. Actualice el almacenamiento y mejore la fiabilidad de su sistema para procesar eficazmente las exigentes cargas de trabajo y experimentar un mejor rendimiento con aplicaciones de software, como digitalización 3D y creación de contenidos 4K+. Con formidables velocidades de hasta 7.000 MB/s1 en lectura/escritura, garantiza la mejora de los flujos de trabajo en equipos de sobremesa y portátiles de alto rendimiento, lo cual lo hace ideal para superusuarios que requieren las más elevadas velocidades del mercado.

Su compacto diseño M.2 2280 es perfectamente compatible con las placas base y permite una mayor flexibilidad. Así, los superusuarios sabrán apreciar su capacidad de respuesta y la agilización de los tiempos de carga

Tecnología NVMe PCIe 4.0

Controle perfectamente aplicaciones de uso intensivo de datos con velocidades de hasta 7.000/7.000 MB/s en lectura/escritura.

Almacene más

Mejore y administre el almacenamiento con capacidades de hasta 4096 GB

Mayor flexibilidad

Su compacto diseño M.2 es perfectamente compatible con sistemas de pequeño factor de forma (SFF) y ordenadores de sobremesa y portátiles.

Disipador térmico de aluminio y grafeno de bajo perfil

La excepcional disipación térmica impide que la unidad se recaliente y ofrezca su máximo rendimiento.

• NVMe PCIe 4.0 M.2
• 7.000 MB/s en lectura, 7.000 MB/s en escritura
• Incluye software de clonación Acronis
• Doble cara

Especificaciones

Almacenamiento

Capacidad: 2 TB

Formato: M.2 2280

Interfaz: PCI Express 4.0 x4 NVMe

Controlador: Phison E18

Tipo de memoria: NAND 3D TLC

Caché: DRAM integrada

Velocidad de lectura: Hasta 7000 MB/s

Velocidad de escritura: Hasta 7000 MB/s

IOPS lectura 4K: Hasta 1000000

IOPS escritura 4K: Hasta 1000000

Resistencia: 1600 TBW

MTBF: 2000000 horas

Consumo energético

Consumo en reposo: 50 mW

Consumo medio: 0.36 W

Consumo máximo lectura: 2.8 W

Consumo máximo escritura: 9.9 W

Condiciones de funcionamiento

Temperatura de funcionamiento: 0 °C a 70 °C

Temperatura de almacenamiento: -40 °C a 85 °C

Resistencia a vibraciones en funcionamiento: 2.17 G

Resistencia a vibraciones en reposo: 20 G

Diseño

Dimensiones: 80 x 22 x 3.5 mm

Peso: 9.7 g

ID Articulo: 111018