Transistor R6015

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V

Carga de compuerta (Qg): 50 nC

Tiempo de elevación (tr): 50 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1120 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.23 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220FM